Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP16N06YLL-E1-AY
ABU / MOSFET
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP16N06YLL
NP16N06YLL-E1-AY Hakkında
NP16N06YLL-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 35mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate sürücü geriliminde optimize edilmiştir. Surface mount 8-HSON paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde sıklıkla uygulanır. -175°C'ye kadar çalışma sıcaklığı desteği ile endüstriyel ortamlarda kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 27.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-HSON |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok