Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP161N04TUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP161N04TUG
NP161N04TUG-E1-AY Hakkında
NP161N04TUG-E1-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 160A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 1.8mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 175°C çalışma sıcaklığı ve 250W ısıl güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir performans sunar. Gate charge değeri 345nC olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 345 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20.25 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok