Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP160N055TUJ-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 160A TO263-7
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP160N055TUJ
NP160N055TUJ-E1-AY Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen NP160N055TUJ-E1-AY, 55V drain-source gerilimi ve 160A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 3mΩ on-direnç değerine sahiptir. Junction sıcaklığında 250W güç dağıtabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve endüstriyel güç elektroniklerinde kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 4V eşik gerilimi ile kontrollü anahtarlama sağlar. 175°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Not: Bu ürün Obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok