Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP160N04TUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP160N04TUG
NP160N04TUG-E1-AY Hakkında
NP160N04TUG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj ve 160A sürekli akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve motor sürücüleri gibi alanlarda yer alır. 2mΩ düşük on-direnci, düşük güç kaybı ile verimli tasarımlar sağlar. ±20V gate voltaj toleransı ve 175°C maksimum işletme sıcaklığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 220W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok