Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP15P06SLG-E1-AY

MOSFET P-CH 60V 15A TO252

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NP15P06SLG

NP15P06SLG-E1-AY Hakkında

NP15P06SLG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulur. 70mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Gate charge 23nC olup 4.5V-10V drive voltajı aralığında çalışır. -40°C ile +175°C arasında güvenilir çalışma sağlayan bu transistör, elektronik anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 1100pF input kapasitesi ile hızlı komütasyon özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252 (MP-3ZK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok