Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP110N055PUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP110N055PUK
NP110N055PUK-E1-AY Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen NP110N055PUK-E1-AY, N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 110A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketlemesi ile yüksek ısı dağıtımı sağlar. 1.75mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı ve 348W (Tc'de) maksimum güç dağıtımı kapasitesi sunar. Motor kontrolü, güç kaynakları, şarj devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 175°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 294 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 348W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75mOhm @ 55A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok