Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NP110N04PUK-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
NP110N04PUK

NP110N04PUK-E1-AY Hakkında

NP110N04PUK-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj derecesi ve 110A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte paketinde sunulmaktadır. 1.4mΩ @ 55A, 10V düşük on-resistance değeri, anahtarlama uygulamalarında düşük ısı üretimini sağlar. Motor kontrolleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Maksimum 175°C çalışma sıcaklığı ve 348W (Tc) güç dissipasyonu ile orta-yüksek akım uygulamalarında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15750 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 55A, 10V
Supplier Device Package TO-263-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok