Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP110N04PUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP110N04PUG
NP110N04PUG-E1-AY Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen NP110N04PUG-E1-AY, 40V drain-source voltaj ve 110A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 1.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Junction sıcaklığında 288W güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışan transistör, endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında işletim yapabilen komponentin 390nC gate charge ve 25700pF input capacitance özellikleri hızlı switching işlemleri için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 390 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 288W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 55A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok