Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP109N055PUJ-E1B-AY
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP109N055PUJ
NP109N055PUJ-E1B-AY Hakkında
NP109N055PUJ-E1B-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 110A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 3.2mΩ maksimum on-direnç değeri ile düşük kayıp uygulamaları destekler. 10V gate sürücü geriliminde çalışan transistör, DC-DC konverterler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 175°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 220W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 55A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok