Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP109N04PUK-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP109N04PUK
NP109N04PUK-E1-AY Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen NP109N04PUK-E1-AY, 40V drain-source gerilim ve 110A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 1.75mΩ maksimum on-direnci ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 189nC gate charge ve 10800pF input kapasitansuyla hızlı anahtarlama işlemleri için uygun olan bileşen, motorlu uygulamalar, güç dönüştürücüler, LED sürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak yer almaktadır. Maksimum 250W güç dağılımı (Tc) ve 175°C çalışma sıcaklığı desteği sayesinde yoğun iş yüklerinde güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 189 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75mOhm @ 55A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok