Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP100P06PLG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 100A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP100P06PLG
NP100P06PLG-E1-AY Hakkında
NP100P06PLG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 100A sürekli drenaj akımı özelliğine sahiptir. TO-263 paketinde sunulan bu bileşen, 6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate geriliminde 300nC gate charge ve 15000pF input kapasitansına sahiptir. 175°C'ye kadar çalışabilen bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş bir uygulama aralığını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok