Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP100P06PDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 100A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP100P06PDG
NP100P06PDG-E1-AY Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen NP100P06PDG-E1-AY, 60V drain-source voltaj kapasitesine sahip P-Channel MOSFET transistördür. 100A sürekli drain akımı ve 6mΩ (50A, 10V'da) on-resistance karakteristiği ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu komponent, motor kontrol, güç yönetimi devreleri, inverter ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 175°C'ye kadar işletme sıcaklığında stabil çalışma sağlar ve maksimum 200W güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 300nC gate charge ve düşük input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok