Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP100P04PLG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP100P04PLG
NP100P04PLG-E1-AY Hakkında
NP100P04PLG-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.7mΩ (10V, 50A koşullarında) düşük RDS(on) değeri ısıl kayıpları azaltır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur ve 175°C maksimum çalışma sıcaklığında çalışabilir. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtar uygulamaları ve ters kutuplu koruma devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 10V gate geriliminde 320nC gate charge ve 15100pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 320 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15100 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok