Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP100P04PDG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP100P04PDG
NP100P04PDG-E1-AY Hakkında
Renesas Electronics tarafından üretilen NP100P04PDG-E1-AY, P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajında 100A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketi içinde sunulur. 3.5mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 175°C maksimum bağlantı sıcaklığında çalışabilir. Gate charge değeri 320nC olup 10V Vgs'de ölçülmüştür. Güç elektroniği uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılır. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolaydır. ±20V maksimum gate-source voltajında güvenli şekilde çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 320 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15100 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok