Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP100N055PUK-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 100A TO263
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP100N055PUK
NP100N055PUK-E1-AY Hakkında
NP100N055PUK-E1-AY, Renesas Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 3.25mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263 (D²Pak) SMD paketlemesi sayesinde yoğun PCB tasarımlarında tercih edilir. Gate charge değeri 120nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında uygun karakteristikler sunar. Güç dönüştürücüler, motor sürücüler, DC-DC konvertörler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +175°C junction sıcaklığı aralığında çalışabilir. 176W (TC) maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile termal yönetimi gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 176W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.25mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok