Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NP100N04PUK-E1-AY
N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NP100N04PUK
NP100N04PUK-E1-AY Hakkında
NP100N04PUK-E1-AY, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100A sürekli dren akımı ve 40V dren-kaynak gerilimi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 2.3mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-4 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, inverter ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V gate-source gerilimi ile kolay kontrol edilebilir, -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. 1.8W (Ta) güç dağılımı kapasitesi ile sınırlı soğutma gereksinimlerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7050 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta), 176W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok