Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NMSD200B01-7

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363

Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
NMSD200B01

NMSD200B01-7 Hakkında

NMSD200B01-7, Diodes Incorporated tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajına ve 200mA sürekli dren akımına sahiptir. SOT-363 (6-TSSOP, SC-88) yüzey montaj paketinde sunulur. 5V veya 10V gate sürücü voltajında maksimum 3Ω on-direnci sağlar. İzole edilmiş Schottky diyot içermekte olup, gate-source voltajı ±20V sınırında çalışabilir. -55°C ile +150°C arasında işletilir ve maksimum 200mW güç tüketir. Düşük sinyal anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve portable cihazlarda tercih edilir. Entegre Schottky diyotu sayesinde ters akım kısa devre koruması sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 50mA, 5V
Supplier Device Package SOT-363
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok