Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NIF9N05CLT3G

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
NIF9N05CLT3G

NIF9N05CLT3G Hakkında

NIF9N05CLT3G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 59V Drain-Source gerilim değeri ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 2.6A sürekli Drain akımı kapasitesi bulunan bu transistör, 3V ve 10V drive voltajlarında çalışabilir. 125mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. SOT-223 (TO-261) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge değeri (7nC) ile hızlı anahtarlama uygulamaları, power management, motor kontrol ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 59 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 35 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.69W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.6A, 10V
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok