Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NIF9N05CLT1G

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
NIF9N05CLT1G

NIF9N05CLT1G Hakkında

NIF9N05CLT1G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 59V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 125mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-223 (TO-261) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 7nC ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate-source geriliminde tam performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 59 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 35 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.69W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.6A, 10V
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok