Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDTL01N60ZT3G

MOSFET N-CH 600V 250MA SOT223

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
NDTL01N60ZT3G

NDTL01N60ZT3G Hakkında

NDTL01N60ZT3G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilimi (Vdss) ve 250mA sürekli drenaj akımı (Id) ile tasarlanmıştır. SOT-223 (TO-261) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 15Ohm on-state direncine sahiptir. Gate charge değeri 4.9nC, input kapasitansi ise 92pF'dir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve 2W maksimum güç tüketimi ile anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve elektrik motorları kontrol edilmesi gereken endüstriyel sistemlerde kullanılmaya uygun bir transistördür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 92 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15Ohm @ 400mA, 10V
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok