Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDTL01N60ZT1G

MOSFET N-CH 600V 250MA SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
NDTL01N60ZT1G

NDTL01N60ZT1G Hakkında

NDTL01N60ZT1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltajı ve 250mA sürekli dren akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-223 (TO-261-4) paketinde sunulan bu FET, düşük on-state direnç (15Ω @ 10V) ile verimli güç yönetimi sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışan komponent, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. Maximum 2W güç saçma kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 4.9nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 92 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15Ohm @ 400mA, 10V
Supplier Device Package SOT-223 (TO-261)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok