Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDT456P
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDT456P
NDT456P Hakkında
NDT456P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 7.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 30mOhm maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde düşük kayıpla çalışır. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Surface mount SOT-223-4 paketi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyumludur. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1440 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok