Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDT456P

MOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
NDT456P

NDT456P Hakkında

NDT456P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 7.5A sürekli dren akımı ile tasarlanmış olup, SOT-223-4 yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 30mΩ maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. ±20V maksimum gate gerilimi aralığında çalışabilir. -65°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 3W maksimum güç harcaması ile güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. Düşük gate charge değeri (67nC) hızlı anahtarlamayı destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1440 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7.5A, 10V
Supplier Device Package SOT-223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok