Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDT454P

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
NDT454

NDT454P Hakkında

NDT454P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 5.9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 50mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında soğuk ortamlardan yüksek sıcaklıklara kadar işletme olanağı sunar. SO-223-4 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, anahtarlama devreleri, power management uygulamaları ve endüstriyel denetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.9A, 10V
Supplier Device Package SOT-223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok