Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDT451AN

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
NDT451AN

NDT451AN Hakkında

NDT451AN, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel power MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 7.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 35mΩ maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde) ve düşük gate charge karakteristiği (30nC @ 10V) ile anahtarlama hızını ve enerji verimliliğini destekler. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 150°C) ve kompakt SOT-223-4 surface mount paketlemesi ile endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 720 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 7.2A, 10V
Supplier Device Package SOT-223-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok