Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDT3055
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDT3055
NDT3055 Hakkında
NDT3055, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 4A sürekli dren akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100mΩ on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. ±20V gate voltajı desteği, 15nC gate charge ve 250pF input kapasitansi özellikleriyle hızlı komutasyon gerçekleştirir. SOT-223-4 yüzey montajlı paketinde sunulan komponent, -65°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok