Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDT02N60ZT1G
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDT02N60ZT1G
NDT02N60ZT1G Hakkında
NDT02N60ZT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 300mA sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SOT223 yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 8Ohm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 10V drive voltajı ile kontrol edilebilir ve 2W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 700mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok