Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDT02N40T1G
MOSFET N-CH 400V 400MA SOT223
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDT02N40T1G
NDT02N40T1G Hakkında
NDT02N40T1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 400V drain-source voltaj derecelendirmesi ve 400mA maksimum sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. SOT-223 (TO-261AA) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponentin maksimum gate charge değeri 5.5 nC olup, 10V drive voltajında 5.5Ω RDS(on) direnci gösterir. Gating kapasitanı 121 pF ile düşük input capacitance sağlayan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, AC/DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde kullanılır. 2W maksimum güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır. Not: Bu ürün life cycle'ında eski (obsolete) statüdedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 121 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5Ohm @ 220mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok