Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDT01N60T1G
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDT01N60T1G
NDT01N60T1G Hakkında
NDT01N60T1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 400mA sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 8.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletmeyi sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Anahtarlama devrelerinde, güç denetimi ve motor kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir. ±30V gate voltajı kapasitesi geniş uygulanabilirlik sunar. Düşük gate yükü (7.2nC) ile sürücü devrelerinin tasarımını kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok