Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDS9407_G
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDS9407
NDS9407_G Hakkında
NDS9407_G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket türünde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 150mΩ on-direnç değerine sahiptir. Gate charge değeri 22nC olup, giriş kapasitansi 732pF'dir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmekte ve maksimum 2.5W güç tüketebilmektedir. Vgs threshold gerilimi 250µA'de 3V'tur. Anahtar uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve denetim sistemlerinde kullanılır. Bileşen artık üretime alınmamaktadır (obsolete durumdadır).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 732 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok