Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDS9407-G
NDS9407-G - MOSFET BULK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDS9407
NDS9407-G Hakkında
NDS9407-G, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) bileşenidir. 60V Drain-Source gerilim ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 150mΩ maksimum On-State resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, düşük güç tüketimiyle (2.5W maksimum) güç yönetimi devreleri, sürücü devreleri ve analog anahtarlamada yer alır. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, mobil cihazlar, endüstriyel kontrol sistemleri ve tüketici elektroniğinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 732 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok