Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDS8410A

MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NDS8410A

NDS8410A Hakkında

NDS8410A, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 10.8A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 12mΩ on-state direnci (Rds On) ile düşük güç tüketimi sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen NDS8410A, maksimum 2.5W güç yayabilir. Gate eşik gerilimi (Vgs(th)) 3V olup, 22nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok