Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDS8410A

MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NDS8410A

NDS8410A Hakkında

NDS8410A, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj (Vdss) ve 10.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 12mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük kanal direnci sağlar. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde sunulan bu transistör, motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve PWM uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum ±20V gate-source voltajı ve 3V eşik voltajı ile mantık seviyesi kontrol uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1620 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok