Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDS356P
MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDS356P
NDS356P Hakkında
NDS356P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 1.1A sürekli drain akımı ile tasarlanmış, düşük on-dirençli (210mΩ @ 10V) yapısıyla enerji yönetimi uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V-10V gate sürücü gerilimi ile kontrol edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen NDS356P, pil yönetim sistemleri, DC-DC konvertörler, anahtarlama uygulamaları ve düşük güç elektronik devrelerinde yaygın olarak yer alır. 500mW maksimum güç yayınlama kapasitesi ile kompakt tasarımların gerçekleştirilmesine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok