Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDS356P
MOSFET P-CH 20V 1.1A SUPERSOT3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDS356P
NDS356P Hakkında
NDS356P, Rochester Electronics tarafından üretilen bir P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source voltaj desteği ve 1.1A kontinü drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236-3, SC-59) paketinde sunulan bu bileşen, gated switching ve analog switching uygulamalarında, güç kaynağı yönetimi ve sinyal anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 210mΩ maksimum Rds(on) değeri ve 500mW güç dağılımı kapasitesi ile kompakt ve verimli devre tasarımlarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Cihazın obsolete durumda olması nedeniyle yeni tasarımlarda alternatif bileşen araştırılması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok