Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDS356AP-NB8L005A
MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDS356AP
NDS356AP-NB8L005A Hakkında
NDS356AP-NB8L005A, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 1.1A sürekli drain akımı ile düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 200mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Tüketici elektroniği, güç yönetimi devreleri ve küçük sinyal anahtarlamada yaygın olarak uygulanır. 500mW maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygun bir çözümdür. Ürün yaşamı sonu (Obsolete) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok