Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDS356AP-NB8L005A
-30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHAN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDS356AP
NDS356AP-NB8L005A Hakkında
NDS356AP-NB8L005A, Rochester Electronics tarafından üretilen -30V P-Channel Logic Level MOSFET transistördür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1.1A sürekli drain akımı ve 200mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. 4.5V ve 10V drive voltajında çalışabilen transistör, gating ve anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve dijital logic kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma sunan bileşen, 500mW maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok