Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDS356AP
MOSFET P-CH 30V 1.1A SUPERSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDS356AP
NDS356AP Hakkında
NDS356AP, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj derecelendirilmesi ve 1.1A sürekli drain akımı ile röle kontrol, motor sürücüleri ve güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200mOhm (10V, 1.3A'de) düşük on-direnci sayesinde ısıl verimliliği artırır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, küçük boyutlu SOT-23-3 paketinde sunulur ve gömülü sistemler ile portable cihazlarda yer tasarrufu sağlar. 4.4nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok