Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDS355N

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NDS355N

NDS355N Hakkında

NDS355N, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. Small signal uygulamaları için tasarlanan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 1.6A sürekli drain akımı ile çalışır. RDS(on) değeri 85mΩ (1.9A, 10V koşullarında) olup, düşük güç tüketimi gerektiren devreler için uygundur. 500mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, amplifikatör devreleri ve genel sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, kompakt tasarımlı elektronik cihazlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 245 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1.9A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok