Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDS355AN-NB9L007A
NDS355AN - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDS355AN
NDS355AN-NB9L007A Hakkında
NDS355AN, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel logic level MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 1.7A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 85mOhm maksimum on-direnç (RDS-On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 5nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Surface mount SOT-23-3 paketinde sağlanan bu bileşen, mantık seviyesi sürücüleme gerektiren uygulamalarda, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve sürücü entegreleri ile uyumlu tasarımlarda kullanılmaktadır. Düşük gate charge gereksinimleri ve mantık seviyesi uyumluluğu sayesinde mikrodenetleyici ve dijital sinyal işlemci uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 195 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok