Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDS355AN-F169
N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMEN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDS355AN
NDS355AN-F169 Hakkında
NDS355AN-F169, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel enhancement mode MOSFET transistördür. Logic level gate sürücü özelliğine sahip bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 85mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine, 4.5V-10V sürücü gerilimi aralığında çalışır. Geniş operating temperature aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel uygulamalarda kullanılabilir. SOT-23-3 yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına uygun olup, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve logic seviye sürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 195 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok