Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDS352P

MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NDS352P

NDS352P Hakkında

NDS352P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Vdss derecelendirmesi ve 850mA sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirir. SOT-23-3 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 350mOhm maksimum on-direnç (Rds On) ile elektrik enerjisinin verimli denetimini sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kararlı performans sunar. Portable cihazlar, güç yönetimi devreleri ve kontrol uygulamalarında kullanım için uygundur. Obsolete durumunda olsa da mevcut stok için teknik referans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 850mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 125 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok