Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDS352P
MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDS352P
NDS352P Hakkında
NDS352P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj ve 850mA sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 (SC-59) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V ve 10V gate voltaj değerlerinde 350mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 500mW güç dağıtım kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle düşük güç tüketimi gerektiren kuvvet yönetimi, elektrik kontrol devrelerinde ve portatif elektronik cihazlarda kullanılır. Düşük gate charge (4nC @ 5V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 850mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 125 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok