Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDS352AP
MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDS352AP
NDS352AP Hakkında
NDS352AP, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 900mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 300mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtar işlemi sağlar. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (3nC) gereksinimleri hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. İçeride gömülü diyot bulunan bu transistör, güç yönetimi, yükseltici devreler, analog anahtarlar ve batarya koruma sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 900mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 135 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok