Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDS336P

MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NDS336P

NDS336P Hakkında

NDS336P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 1.2A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 200mOhm maksimum Ron direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 500mW maksimum güç dağılımı kabiliyetine sahiptir. Düşük gate charge (8.5nC) ve input kapasitansi (360pF) özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel, tüketici elektronikleri ve güç yönetimi devrelerinde switch ve kontrol elemanı olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Bileşen kullanım dışı durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok