Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDS336P
MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDS336P
NDS336P Hakkında
NDS336P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 1.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 200mΩ (4.5V, 1.3A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-3 yüzey montajlı paket içinde sunulur. Maksimum 500mW güç tüketim kapasitesine sahiptir. Gate threshold voltajı 1V (@250µA) olup, ±8V maksimum gate-source voltaj aralığında çalışır. Düşük input kapasitans (360pF@10V) ve hızlı anahtarlama karakteristiği (8.5nC gate charge) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli kullanım sağlar. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Motor kontrolleri, power management, analog switch ve düşük güçlü anahtarlama devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok