Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDS335N

MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NDS335N

NDS335N Hakkında

NDS335N, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 1.7A sürekli drain akımı ile çalışır. SOT-23-3 (SC-59, TO-236-3) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (110mΩ @ 4.5V) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 4.5V ve 2.7V sürücü voltajında optimize edilmiş tasarımı, güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanım için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen cihaz, 500mW maksimum güç tüketimine sahiptir. Küçük 240pF input kapasitansı, yüksek hızlı anahtarlama gerekli olan devrelerde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 1.7A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) 8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok