Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDS0610-PG

MOSFET P-CH 60V SOT-23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NDS0610

NDS0610-PG Hakkında

NDS0610-PG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ile çalışan bu komponent, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerini yerine getirir. 120mA sürekli drain akımı kapasitesi ile hafif yüklerin kontrolünde kullanılabilir. 10Ω maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. SOT-23 yüzey montajlı paketinde sunulan NDS0610-PG, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve tüketici elektroniği, güç yönetimi ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda yer alır. NOT: Bu ürün üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 79 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok