Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NDS0605-F169

MOSFET P-CH 60V SOT-23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NDS0605

NDS0605-F169 Hakkında

NDS0605-F169, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, SOT-23-3 paketinde sunulmaktadır. 180mA sürekli dren akımı kapasitesi ve 5Ohm (10V, 500mA şartlarında) maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç tüketimi gerektiren uygulamalarda kullanılmaya uygundur. ±20V gate gerilimi aralığında çalışır ve 360mW maksimum güç dağıtımı yapabilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında işletilmektedir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve gerilim denetim uygulamalarında tercih edilmektedir. Yüksek hızlı çalışma için optimize edilmiş 2.5nC gate charge değerine sahiptir. (Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş olup, mevcut stoklar sınırlıdır.)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 79 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok