Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NDPL100N10BG
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NDPL100N10BG
NDPL100N10BG Hakkında
NDPL100N10BG, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi (Vdss) ve 100A sürekli dren akımı (Id) kapasitesiyle güç anahtarlama ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu FET, 7.2mΩ tipik RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. Gate şarjı (Qg) 35nC ve giriş kapasitanı 2950pF olan bileşen, hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren DC-DC konvertörleri, invertörler ve endüstriyel sürücü devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 175°C maksimum işletme sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2950 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 50A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok